氮化镓

氮化镓靠宽禁带带来的高击穿电场与高电子饱和漂移速度，把电力电子、射频微波、光电子三条需求线收进同一套衬底—外延—晶圆制造—封测的产能里；驱动来自快充与数据中心供电对高效率小体积电源的替换、基站与相控阵从砷化镓向氮化镓的迁移，钱沿着耗材、设备、外延片、晶圆代工、封测的投片量逐级放大，最终由电源模组与终端配件完成变现。